CIGS薄膜太阳能电池板的制备-多元共蒸法

  。Cu、In、Ga和Se蒸发源提供成膜时的四种元素。原子吸收谱(AAS)和电子碰撞散射谱(EEIS)等用来实时监测薄膜成分及蒸发源的蒸发速率等参数，对薄膜生长进行精确控制。高效CICS太阳电池沉积时的衬底温度般高于530℃，而每个蒸发源的温度必须个别调整，以控制元索的蒸发速率，进而控制所沉积出Culn1-x,.GaX,Se2薄膜的化学计量比。。

　　，所以利用Cu、In和Ca的原子流通量就可以控制博膜组成及成长速率。In与Ga的相对组成比例界定了带院的大小。Se具有很高的蒸气压和较低的黏附系数，所以挥发出来的Se的原子流通量必须大于Cu、In和Ca的总量，过量的Se会从薄胶表面再次蒸发。如果Se的量不足，便会导致In和Ca以In,Se和Ca,Se的形态损失掉。通过对CICS薄膜生长动力学的研究，发现Cu蒸发速率的变化强烈影响薄膜的生长机制。根据Cu的蒸发过程，共蒸法工艺可以分为一步法、两步法和三步法。。

　　，这种I艺控制相对简单,适合商业化生产，但所制备的薄膜晶粒尺寸小且不形成梯度带隙。

　　，衬底温度和蒸发源流量变化曲线先在衬底温度为400~450℃时，沉积第层富Cu的CIGS薄膜，该层具有小的晶粒尺寸和低的电阻率。第二层薄膜是在高衬底温度(550℃)下沉积的贫Cu的CIGS海膜，这层膜具有大的晶粒尺寸和高的电阻率。。

　　,用共蒸法使90%的In 、Ga和Se元素形成( Ing ,Ca3)2Se,预制层,Se/(In +Ga)流量比大于3;第二步，在衬底温度为550 - 580C时蒸发Cu .Se,直到薄膜稍微富Cu时结束;第三步，在保持第二步衬底温度条件下，共蒸剩余10%的In 、Ga和Se，在薄膜表面形成富In的薄层，并终得到接近化学计算比的CuIn0.7,Ca0.3,Se2薄膜，该工艺所制备的。

   更多精彩资讯，欢迎继续关注-东莞市摩登6能源技术有限公司。

可定制太阳能光伏发电、光伏发电、太阳能发电、屋顶光伏电站、屋顶光伏发电、屋顶太阳能发电、分布式光伏发电、分布式太阳能发电所需规格摩登6注册。

量大的请于摩登6