Ⅲ- V族多结太阳电池

　 。异质结，尤其是双异质结包括量子阱、量子线量于点的研究占据了半导体物理研究的2/3。异质结通过掺入不同的杂质来控机生导体材料的电导率。异质结可以控制半导体晶体和器件的基本参数;如带隙电荷载流子的

　　。所谓Ⅲ-V族 太阳电池是指采用化学元素周期表中第Ⅲ族和第V族元素材料制作成的太阳电池。与硅基材料相比.基于Ⅲ- V族半导体多结太阳电池具有极高的转换效率，大约比硅太阳电池高50%。Ⅲ- V族半导体具有比硅高得多的耐高温特性，在高辐照度下仍具有很高的转换效率，因此可以采用高倍聚光技术，这意味着产生同样多的电能只需要很小的太阳电池芯片。多结技术个独特的方 面就是可选择不同的材料进行组合，使它们的吸收光谱和太阳光谱接近一致， 相对于晶体硅,这是巨大的优势。后者的转换效率已近极限，而理论上多结器件的转换效率可达68%。目前使用多的是由锗、砷铟镓(或砷化镓)、镓铟磷三种不同的半导体材料形成三个P-N结。在这种多结太阳电池中，不但这三种材料的晶格常数基本匹配，而且每一种半导体材料具有不同的禁带宽度，。

　　制备减反射膜及主要成分为银的金属电极，再经划片清洗等工艺，生产出HCPV芯片。HCPV芯片的主要生产商有美国的Specrolab、Emcore、JDSU公司，德国的Azurspace公司，加拿大的Cyrium公司，。 

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