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。这是电池制作过程中的关键工序。。
。热扩散制造P-N结是用加热的方法,使5价杂质掺入P型硅,或3价杂质掺入N型硅。硅太阳电池中常用的5价杂质元素是磷。
。浅结的表面浓度低,电池短波响应好,但会引起串联电阻增加,只有提高电极栅线的密度,才能有效提高电池的填充因子,这样就增加了工艺难度;如果表面浓度太大,会引起重掺杂效应,使得电池的开路电压和短路电流均下降。在实际电池制作中,应综合考虑各种因素,。
,为单位面积的半导体薄层所呈现的电阻,它可以反映出扩散工艺过程中进入的杂质总量。方块电阻与扩散时间、扩散温度和气流量大小等因素密切相关,一般而言 ,扩散杂质浓度越高,导电能力越强,方块电阻也越小。通常方块电阻为40~70Ω比较适宜。但为了使太阳能电池板转换效率进一步提高,目前扩散方块电阻有不断增大的趋势,
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